G70N04T

Изображения являются только для ссылки

G70N04T

+БОМ

N40V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@

  • Производителькомпанией Goford Semiconductor

  • Мфр. Часть #G70N04T

  • В наличии68

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Goford Semiconductor
Package / Case Tube
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 70A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4010 pF @ 20 V
Power Dissipation (Max) 104W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-220

Продукты, связанные с G70N04T