Изображения являются только для ссылки
G70N04T
+БОМN40V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
-
Производителькомпанией Goford Semiconductor
-
Мфр. Часть #G70N04T
-
В наличии68
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Goford Semiconductor |
| Package / Case | Tube |
| Part Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 7mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 4010 pF @ 20 V |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-220 |