Изображения являются только для ссылки
GA10JT12-247
+БОМTRANS SJT 1200V 10A TO247AB
-
Производительполупроводника GeneSiC
-
Мфр. Часть #GA10JT12-247
-
Лист данных GA10JT12-247 DataSheet
-
В наличии5175
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package / Case | Tube |
| Part Status | Obsolete |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 140mOhm @ 10A |
| Power Dissipation (Max) | 170W (Tc) |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247AB |
