GHXS100B120S-D3

Изображения являются только для ссылки

GHXS100B120S-D3

+БОМ

SIC SBD PARALLEL POWER MODULE 12

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier SemiQ
Package / Case Tube
Part Status Active
Diode Configuration 2 Independent
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200 V
Current - Average Rectified(Io)(per Diode) 198A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 100 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 200 µA @ 1200 V
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Mounting Type Chassis Mount

Продукты, связанные с GHXS100B120S-D3