Изображения являются только для ссылки
GT650N15K
+БОМN150V,RD(MAX)<65M@10V,VTH2.5V~4.
-
Производителькомпанией Goford Semiconductor
-
Мфр. Часть #GT650N15K
-
В наличии5981
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Goford Semiconductor |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Part Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 65mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 600 pF @ 75 V |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-252 |
