GT700P08T

Изображения являются только для ссылки

GT700P08T

+БОМ

P-80V, -25A,RD<72M@-10V,VTH-2V~-

  • Производителькомпанией Goford Semiconductor

  • Мфр. Часть #GT700P08T

  • В наличии100

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Goford Semiconductor
Package / Case Tube
Part Status Active
FET Type P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 25A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 72mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 75 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1639 pF @ 40 V
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-220

Продукты, связанные с GT700P08T