Изображения являются только для ссылки
IPG20N06S415ATMA2
+БОМMOSFET 2N-CH 8TDSON
-
Производителькомпанией Infineon Technologies
-
Мфр. Часть #IPG20N06S415ATMA2
-
Лист данных IPG20N06S415ATMA2 DataSheet
-
Пакет VDFN-8
-
В наличии8383
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Infineon Technologies |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Series | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| ProductStatus | Active |
| FETType | 2 N-Channel (Dual) |
| FETFeature | Standard |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 60V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 20A |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 15.5mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 4V @ 20µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 29nC @ 10V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 2260pF @ 25V |
| Power-Max | 50W |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | 8-PowerVDFN |
