IXFN32N120

Изображения являются только для ссылки

IXFN32N120

+БОМ

MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B

  • ПроизводительИКСИС

  • Мфр. Часть #IXFN32N120

  • В наличии2617

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier IXYS
Package / Case Box
Series HiPerFET™
Part Status Not For New Designs
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 32A
Rds On(Max) @ Id Vgs 350mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 8mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 400 nC @ 10 V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 15900 pF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
Supplier Device Package SOT-227B

Продукты, связанные с IXFN32N120