Изображения являются только для ссылки
IXFT52N50P2
+БОМMOSFET N-CH 500V 52A TO268
-
ПроизводительИКСИС
-
Мфр. Часть #IXFT52N50P2
-
В наличии6858
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | IXYS |
| Package / Case | Tube |
| Series | HiPerFET™, PolarP2™ |
| Part Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 52A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 120mOhm @ 26A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 113 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±30V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 6800 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 960W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-268AA |
