IXFT69N30P

Изображения являются только для ссылки

IXFT69N30P

+БОМ

MOSFET N-CH 300V 69A TO268

  • ПроизводительИКСИС

  • Мфр. Часть #IXFT69N30P

  • В наличии8297

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier IXYS
Package / Case Box
Series HiPerFET™, Polar
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 300 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 69A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 49mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 4mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4960 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 500W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package TO-268AA

Продукты, связанные с IXFT69N30P