IXKG25N80C

Изображения являются только для ссылки

IXKG25N80C

+БОМ

MOSFET N-CH 800V 25A ISO264

  • ПроизводительИКСИС

  • Мфр. Часть #IXKG25N80C

  • В наличии3894

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series CoolMOS™
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 25A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 150mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 2mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 166 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package ISO264™

Продукты, связанные с IXKG25N80C