IXTA8N50P

Изображения являются только для ссылки

IXTA8N50P

+БОМ

MOSFET N-CH 500V 8A TO263

  • ПроизводительИКСИС

  • Мфр. Часть #IXTA8N50P

  • В наличии4539

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series PolarHV™
Part Status Obsolete
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 800mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5.5V @ 100µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1050 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package TO-263AA

Продукты, связанные с IXTA8N50P