Изображения являются только для ссылки
NP36P06KDG-E1-AY
+БОМMOSFET P-CH 60V 36A TO263
-
Производителькомпанией Renesas Electronics America Inc
-
Мфр. Часть #NP36P06KDG-E1-AY
-
В наличии2068
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Renesas Electronics America Inc |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Part Status | Active |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 36A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 29.5mOhm @ 18A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 54 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 3100 pF @ 10 V |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 56W (Tc) |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-263 |
