NP36P06SLG-E1-AY

Изображения являются только для ссылки

NP36P06SLG-E1-AY

+БОМ

MOSFET P-CH 60V 36A TO252

  • Производителькомпанией Renesas Electronics America Inc

  • Мфр. Часть #NP36P06SLG-E1-AY

  • В наличии3134

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Renesas Electronics America Inc
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Part Status Active
FET Type P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 36A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 30mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 3200 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max) 1.2W (Ta), 56W (Tc)
Operating Temperature 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package TO-252 (MP-3ZK)

Продукты, связанные с NP36P06SLG-E1-AY