NTMFD4C88NT1G

Изображения являются только для ссылки

NTMFD4C88NT1G

+БОМ

MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC
Package / Case Tape & Reel (TR),Bulk
Part Status Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 11.7A, 14.2A
Rds On(Max) @ Id Vgs 5.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 22.2nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1252pF @ 15V
Power - Max 1.1W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Продукты, связанные с NTMFD4C88NT1G