R6009KNJTL

Изображения являются только для ссылки

R6009KNJTL

+БОМ

MOSFET N-CH 600V 9A LPTS

  • Производителькомпанией Rohm Semiconductor

  • Мфр. Часть #R6009KNJTL

  • В наличии463

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Rohm Semiconductor
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 535mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 16.5 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 540 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 94W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package LPTS

Продукты, связанные с R6009KNJTL