Изображения являются только для ссылки
STFI6N65K3
+БОМMOSFET N-CH 650V 5.4A I2PAKFP
-
ПроизводительSTМикроэлектроника
-
Мфр. Часть #STFI6N65K3
-
В наличии500
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | STMicroelectronics |
| Package | Tube |
| Series | SuperMESH3™ |
| ProductStatus | Obsolete |
| FETType | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 650 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 5.4A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 1.3Ohm @ 2.7A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 4.5V @ 50µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±30V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 880 pF @ 50 V |
| PowerDissipation(Max) | 30W (Tc) |
| OperatingTemperature | 150°C (TJ) |
| MountingType | Through Hole |
| SupplierDevicePackage | I2PAKFP (TO-281) |
