Изображения являются только для ссылки
STI30NM60N
+БОМMOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
-
ПроизводительSTМикроэлектроника
-
Мфр. Часть #STI30NM60N
-
Лист данных STI30NM60N DataSheet
-
В наличии4102
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | STMicroelectronics |
| Package | Tube |
| Series | MDmesh™ II |
| ProductStatus | Obsolete |
| FETType | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 600 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 25A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 130mOhm @ 12.5A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 4V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 91 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±30V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 2700 pF @ 50 V |
| PowerDissipation(Max) | 190W (Tc) |
| OperatingTemperature | 150°C (TJ) |
| MountingType | Through Hole |
| SupplierDevicePackage | I2PAK (TO-262) |
