Изображения являются только для ссылки
STP26N65DM2
+БОМMOSFET N-CH 650V 20A TO220
-
ПроизводительSTМикроэлектроника
-
Мфр. Часть #STP26N65DM2
-
Лист данных STP26N65DM2 DataSheet
-
В наличии9825
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | STMicroelectronics |
| Package | Tube |
| Series | MDmesh™ DM2 |
| ProductStatus | Active |
| FETType | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 650 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 20A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 190mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 5V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 35.5 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±25V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 1480 pF @ 100 V |
| PowerDissipation(Max) | 170W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Through Hole |
| SupplierDevicePackage | TO-220 |
