Изображения являются только для ссылки
STP80N10F7
+БОМMOSFET N-CH 100V 80A TO220
-
ПроизводительSTМикроэлектроника
-
Мфр. Часть #STP80N10F7
-
Лист данных STP80N10F7 DataSheet
-
В наличии3384
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | STMicroelectronics |
| Package | Tube |
| Series | DeepGATE™, STripFET™ VII |
| ProductStatus | Last Time Buy |
| FETType | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 100 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 80A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 10mOhm @ 40A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 4.5V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 3100 pF @ 50 V |
| PowerDissipation(Max) | 110W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| MountingType | Through Hole |
| SupplierDevicePackage | TO-220 |
