TPH3206LSB

Изображения являются только для ссылки

TPH3206LSB

+БОМ

GANFET N-CH 650V 16A PQFN

  • ПроизводительTransphorm

  • Мфр. Часть #TPH3206LSB

  • Лист данных TPH3206LSB DataSheet

  • В наличии8127

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Transphorm
Package / Case Tube
Part Status Obsolete
FET Type N-Channel
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 16A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 180mOhm @ 10A, 8V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.6V @ 500µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 6.2 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±18V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 720 pF @ 480 V
Power Dissipation (Max) 81W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package PQFN (8x8)

Продукты, связанные с TPH3206LSB