Изображения являются только для ссылки
TPH3208LSG
+БОМGANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
-
ПроизводительTransphorm
-
Мфр. Часть #TPH3208LSG
-
Лист данных TPH3208LSG DataSheet
-
В наличии5021
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Transphorm |
| Package / Case | Tube |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 130mOhm @ 14A, 8V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 2.6V @ 300µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 42 nC @ 8 V |
| Vgs(Max) | ±18V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 760 pF @ 400 V |
| Power Dissipation (Max) | 96W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 3-PQFN (8x8) |
