TPH3212PS

Изображения являются только для ссылки

TPH3212PS

+БОМ

GANFET N-CH 650V 27A TO220AB

  • ПроизводительTransphorm

  • Мфр. Часть #TPH3212PS

  • В наличии6037

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Transphorm
Package / Case Tube
Part Status Obsolete
FET Type N-Channel
Technology GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 27A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 72mOhm @ 17A, 8V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.6V @ 400uA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 14 nC @ 8 V
Vgs(Max) ±18V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1130 pF @ 400 V
Power Dissipation (Max) 104W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-220AB

Продукты, связанные с TPH3212PS