TT8U2TCR

Изображения являются только для ссылки

TT8U2TCR

+БОМ

MOSFET P-CH 20V 2.4A 8TSST

  • Производителькомпанией Rohm Semiconductor

  • Мфр. Часть #TT8U2TCR

  • Лист данных TT8U2TCR DataSheet

  • В наличии3640

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Rohm Semiconductor
Package / Case Tape & Reel (TR)
Part Status Active
FET Type P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 2.4A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs 105mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 6.7 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 850 pF @ 10 V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package 8-TSST

Продукты, связанные с TT8U2TCR