2N7002K-T1-GE3 vs 2N7002K-7

Это подробное сравнение 2N7002K-T1-GE3 и 2N7002K-7 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Replacement verdict

Compatible functional replacement candidate

The 2N7002K-7 and 2N7002K-T1-GE3 are functionally equivalent N-channel MOSFETs sharing identical electrical characteristics, package type, and pinout, making them suitable drop-in replacements for each other in most designs. The primary distinction lies in manufacturer sourcing and supply chain considerations rather than electrical performance.

Drain-Source Voltage Rating High match

Continuous Drain Current High match

Package Type High match

RDS(on) High match

Review the critical differences →

Parts at a glance

Part A

2N7002K-T1-GE3

Vishay Силиконикс

Lifecycle: Active
Stock: 4371 ПКС
Package: SOT-23-3
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

2N7002K-7

Включенные диоды

Lifecycle: Active
Stock: 5630 ПКС
Package: SOT-23-3
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	2N7002K-T1-GE3	2N7002K-7
Series	TrenchFET®	-
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	300mA (Ta)	380mA (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	2Ohm @ 500mA, 10V	2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	2.5V @ 250µA	2.5V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	0.6 nC @ 4.5 V	0.3 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	30 pF @ 25 V	50 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	350mW (Ta)	370mW (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ