2N7002K-T1-E3 vs 2N7002ET1G Сравнение

Это подробное сравнение 2N7002ET1G и 2N7002K-T1-E3 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
2N7002ET1G

+БОМ

4059 ПКС | Онсеми
2N7002K-T1-E3

+БОМ

3495 ПКС | Vishay Силиконикс
Пакет SOT-23-3 SOT-23-3
Описание MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V 60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 260mA (Ta) 300mA (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 2.5Ohm @ 240mA, 10V 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 0.81 nC @ 5 V 0.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 26.7 pF @ 25 V 30 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 300mW (Tj) 350mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Series - TrenchFET®
Модель сравнения : 2N7002ET1G 2N7002K-T1-E3

+БОМ RFQ