AUIRS2181STR vs AUIRS1170STR

Это подробное сравнение AUIRS2181STR и AUIRS1170STR предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
AUIRS2181STR

+БОМ

5680 ПКС | компанией Infineon Technologies
AUIRS1170STR

+БОМ

2241 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRIVER 200V 8SOIC
ProductStatus Active Active
Applications - Secondary-Side Controller
Voltage-Input - 200V
Voltage-Supply 10V ~ 20V 11V ~ 18V
Current-Supply - 45 mA
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -25°C ~ 125°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
DrivenConfiguration Half-Bridge -
ChannelType Independent -
NumberofDrivers 2 -
GateType IGBT, N-Channel MOSFET -
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 2.5V -
Current-PeakOutput(SourceSink) 1.9A, 2.3A -
InputType Inverting -
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 600 V -
Rise/FallTime(Typ) 15ns, 15ns -
Модель сравнения : AUIRS2181STR AUIRS1170STR

+БОМ RFQ