AUIRS2181STR vs AUIRS20161S

Это подробное сравнение AUIRS2181STR и AUIRS20161S предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
AUIRS2181STR

+БОМ

5680 ПКС | компанией Infineon Technologies
AUIRS20161S

+БОМ

7589 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Series - Automotive, AEC-Q100
ProductStatus Active Obsolete
DrivenConfiguration Half-Bridge High-Side
ChannelType Independent Single
NumberofDrivers 2 1
GateType IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 10V ~ 20V 4.4V ~ 6.5V
Current-PeakOutput(SourceSink) 1.9A, 2.3A 500mA, 500mA
InputType Inverting Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 600 V 150 V
Rise/FallTime(Typ) 15ns, 15ns 200ns, 200ns
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 2.5V -
Модель сравнения : AUIRS2181STR AUIRS20161S

+БОМ RFQ