AUIRS2181STR vs AUIRS20302STR

Это подробное сравнение AUIRS2181STR и AUIRS20302STR предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
AUIRS2181STR

+БОМ

5680 ПКС | компанией Infineon Technologies
AUIRS20302STR

+БОМ

6645 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-8 SOIC-28
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
Series - Automotive, AEC-Q100
ProductStatus Active Obsolete
DrivenConfiguration Half-Bridge Half-Bridge
ChannelType Independent 3-Phase
NumberofDrivers 2 6
GateType IGBT, N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 10V ~ 20V 24V ~ 150V
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 2.5V 0.7V, 2.5V
Current-PeakOutput(SourceSink) 1.9A, 2.3A 200mA, 350mA
InputType Inverting Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 600 V 200 V
Rise/FallTime(Typ) 15ns, 15ns 100ns, 35ns
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TA)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : AUIRS2181STR AUIRS20302STR

+БОМ RFQ