FDMC8030 vs FDMC86262P

Это подробное сравнение FDMC8030 и FDMC86262P предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
FDMC8030

+БОМ

3544 ПКС | Онсеми
FDMC86262P

+БОМ

3095 ПКС | Онсеми
Пакет PowerWDFN-8
Описание MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33 MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP
Series PowerTrench® PowerTrench®
ProductStatus - Active
FETType - P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) - 150 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C - 2A (Ta), 8.4A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) - 6V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs - 307mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id - 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs - 13 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±25V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds - 885 pF @ 75 V
PowerDissipation(Max) - 2.3W (Ta), 40W (Tc)
OperatingTemperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType - Surface Mount
Part Status Obsolete -
Base Product Number FDMC80 -
Configuration 2 N-Channel (Dual) -
FET Feature Logic Level Gate -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 12A, 10V -
Power - Max 800mW -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
Модель сравнения : FDMC8030 FDMC86262P

+БОМ RFQ