FDS6930B vs FDS6982AS_G

Это подробное сравнение FDS6930B и FDS6982AS_G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDS6930B

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 16996 ПКС
Package: SOIC-8
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Part B

FDS6982AS_G

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 9642 ПКС
Package: SOIC-8
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	FDS6930B	FDS6982AS_G
Supplier	onsemi,Rochester Electronics, LLC	onsemi
Series	PowerTrench®	PowerTrench®, SyncFET™
Part Status	Active	Obsolete
FET Type	2 N-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V	30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	5.5A	6.3A, 8.6A
Rds On(Max) @ Id Vgs	38mOhm @ 5.5A, 10V	28mOhm @ 6.3A, 10V, 13.5mOhm @ 8.6A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	3V @ 250µA	3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	3.8nC @ 5V	9nC @ 5V, 16nC @ 5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	412pF @ 15V	610pF @ 10V, 1250pF @ 10V
Power - Max	900mW	900mW
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ