FDS8949 vs FDS8958A

Это подробное сравнение FDS8958A и FDS8949 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
FDS8958A

+БОМ

3494 ПКС | Компания Fairchild Semiconductor
FDS8949

+БОМ

6681 ПКС | Компания Fairchild Semiconductor
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Series PowerTrench® PowerTrench®
ProductStatus Active Active
FETType N and P-Channel 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V 40V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 7A, 5A 6A
RdsOn(Max)@IdVgs 28mOhm @ 7A, 10V 29mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 16nC @ 10V 11nC @ 5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 575pF @ 15V 955pF @ 20V
Power-Max 900mW 2W
MountingType Surface Mount Surface Mount
OperatingTemperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
Модель сравнения : FDS8958A FDS8949

+БОМ RFQ