FDS9926A vs FDS9953A

Это подробное сравнение FDS9926A и FDS9953A предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
FDS9926A

+БОМ

4783 ПКС | Онсеми
FDS9953A

+БОМ

6120 ПКС | Онсеми
Пакет SOIC-8
Описание MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOIC MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Series PowerTrench® PowerTrench®
Part Status - Obsolete
Technology - MOSFET (Metal Oxide)
Configuration - 2 P-Channel (Dual)
FET Feature - Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) - 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C - 2.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 130mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id - 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - 3.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds - 185pF @ 15V
Power - Max - 900mW
Operating Temperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type - Surface Mount
Base Product Number - FDS99
ProductStatus Active -
FETType 2 N-Channel (Dual) -
FETFeature Logic Level Gate -
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20V -
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 6.5A -
RdsOn(Max)@IdVgs 30mOhm @ 6.5A, 4.5V -
Vgs(th)(Max)@Id 1.5V @ 250µA -
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 9nC @ 4.5V -
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 650pF @ 10V -
Power-Max 900mW -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
MountingType Surface Mount -
Модель сравнения : FDS9926A FDS9953A

+БОМ RFQ