FDS9958 vs FDS9953A
Это подробное сравнение FDS9958 и FDS9953A предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Пакет
SOIC-8
Описание
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SO
MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
Part Status
-
Obsolete
Technology
-
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
-
2 P-Channel (Dual)
FET Feature
-
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
-
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
-
2.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
130mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
3.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
-
185pF @ 15V
Power - Max
-
900mW
Operating Temperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
-
Surface Mount
Base Product Number
-
FDS99
ProductStatus
Active
-
FETType
2 P-Channel (Dual)
-
FETFeature
Logic Level Gate
-
DraintoSourceVoltage(Vdss)
60V
-
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
2.9A
-
RdsOn(Max)@IdVgs
105mOhm @ 2.9A, 10V
-
Vgs(th)(Max)@Id
3V @ 250µA
-
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
23nC @ 10V
-
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
1020pF @ 30V
-
Power-Max
900mW
-
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
MountingType
Surface Mount
-
