IR2117STRPBF vs IR2110SPBF
Это подробное сравнение IR2110SPBF и IR2117STRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
Пакет
SOIC 16W
SOIC 8N
Описание
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
ProductStatus
Active
Active
DrivenConfiguration
Half-Bridge
High-Side
ChannelType
Independent
Single
NumberofDrivers
2
1
GateType
IGBT, N-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply
3.3V ~ 20V
10V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH
6V, 9.5V
6V, 9.5V
Current-PeakOutput(SourceSink)
2A, 2A
250mA, 500mA
InputType
Non-Inverting
Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap)
500 V
600 V
Rise/FallTime(Typ)
25ns, 17ns
80ns, 40ns
OperatingTemperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
-40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
