IR2117STRPBF vs IR2112S

Это подробное сравнение IR2112S и IR2117STRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IR2112S

+БОМ

4810 ПКС | компанией Infineon Technologies
IR2117STRPBF

+БОМ

1294 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC 8N
Описание IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Part Status Obsolete -
Base Product Number IR2112 -
DigiKey Programmable Not Verified -
Driven Configuration High-Side, Low-Side -
Channel Type Independent -
Number of Drivers 2 -
Gate Type IGBT, MOSFET (N-Channel) -
Voltage - Supply 10V ~ 20V -
Logic Voltage - VIL, VIH 6V, 9.5V -
Current - Peak Output (Source, Sink) 250mA, 500mA -
Input Type Non-Inverting -
High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600 V -
Rise / Fall Time (Typ) 80ns, 40ns -
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Packaging Tube -
ProductStatus - Active
DrivenConfiguration - High-Side
ChannelType - Single
NumberofDrivers - 1
GateType - IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply - 10V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH - 6V, 9.5V
Current-PeakOutput(SourceSink) - 250mA, 500mA
InputType - Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) - 600 V
Rise/FallTime(Typ) - 80ns, 40ns
OperatingTemperature - -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType - Surface Mount
Модель сравнения : IR2112S IR2117STRPBF

+БОМ RFQ