IRF7306TRPBF vs IRF7379QTRPBF

Это подробное сравнение IRF7306TRPBF и IRF7379QTRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF7306TRPBF

+БОМ

9061 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRF7379QTRPBF

+БОМ

8064 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Supplier Infineon Technologies Infineon Technologies
Series HEXFET® -
ProductStatus Active Obsolete
FETType 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3.6A 5.8A, 4.3A
RdsOn(Max)@IdVgs 100mOhm @ 1.8A, 10V 45mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 25nC @ 10V 25nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 440pF @ 25V 520pF @ 25V
Power-Max 2W 2.5W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IRF7306TRPBF IRF7379QTRPBF

+БОМ RFQ