IRF7341PBF vs IRF7379QTRPBF
Это подробное сравнение IRF7341PBF и IRF7379QTRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
Пакет
SOIC-8
SOIC-8
Описание
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Supplier
Rochester Electronics, LLC,Infineon Technologies
Infineon Technologies
ProductStatus
Discontinued at Digi-Key
Obsolete
FETType
2 N-Channel (Dual)
N and P-Channel
FETFeature
Logic Level Gate
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
55V
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
4.7A
5.8A, 4.3A
RdsOn(Max)@IdVgs
50mOhm @ 4.7A, 10V
45mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
1V @ 250µA
1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
36nC @ 10V
25nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
740pF @ 25V
520pF @ 25V
Power-Max
2W
2.5W
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
Series
HEXFET®
-
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
