IRF7309TRPBF vs IRF7313PBF Сравнение

Это подробное сравнение IRF7309TRPBF и IRF7313PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF7309TRPBF

+БОМ

5390 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRF7313PBF

+БОМ

2846 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Discontinued at Digi-Key
FET Type N and P-Channel 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Standard Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 4A, 3A 6.5A
Rds On(Max) @ Id Vgs 50mOhm @ 2.4A, 10V 29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 25nC @ 4.5V 33nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 520pF @ 15V 650pF @ 25V
Power - Max 1.4W 2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IRF7309TRPBF IRF7313PBF

+БОМ RFQ