IRF7380PBF vs IRF7341PBF
Это подробное сравнение IRF7341PBF и IRF7380PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
Пакет
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Описание
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC
Supplier
Rochester Electronics, LLC,Infineon Technologies
Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Discontinued at Digi-Key
Discontinued at Digi-Key
FETType
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
FETFeature
Logic Level Gate
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
55V
80V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
4.7A
3.6A
RdsOn(Max)@IdVgs
50mOhm @ 4.7A, 10V
73mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
1V @ 250µA
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
36nC @ 10V
23nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
740pF @ 25V
660pF @ 25V
Power-Max
2W
2W
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
