IRF7832TRPBF vs IRF7862TRPBF Сравнение
Это подробное сравнение IRF7832TRPBF и IRF7862TRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
Пакет
SO-8
SO-8
Описание
MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Active
Active
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
20A (Ta)
21A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
4.5V, 10V
4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
4mOhm @ 20A, 10V
3.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
2.32V @ 250µA
2.35V @ 100µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
51 nC @ 4.5 V
45 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
4310 pF @ 15 V
4090 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)
2.5W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 155°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
