IRF7854TRPBF vs IRF7821TRPBF

Это подробное сравнение IRF7854TRPBF и IRF7821TRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF7854TRPBF

+БОМ

6096 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRF7821TRPBF

+БОМ

2025 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-8
Описание MOSFET N-CH 80V 10A 8SO MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus - Active
FETType - N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) - 30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C - 13.6A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) - 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs - 9.1mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id - 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs - 14 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) - ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds - 1010 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max) - 2.5W (Ta)
OperatingTemperature - -55°C ~ 155°C (TJ)
MountingType - Surface Mount
Part Status Active -
Base Product Number IRF7854 -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.4mOhm @ 10A, 10V -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
Модель сравнения : IRF7854TRPBF IRF7821TRPBF

+БОМ RFQ