IRFB3206PBF vs IRFB3806PBF Сравнение

Это подробное сравнение IRFB3806PBF и IRFB3206PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRFB3806PBF

+БОМ

5920 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRFB3206PBF

+БОМ

6622 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет TO-220-3 TO-220-3
Описание MOSFET N-CH 60V 43A TO220AB MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V 60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 43A (Tc) 120A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 15.8mOhm @ 25A, 10V 3mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 50µA 4V @ 150µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1150 pF @ 50 V 6540 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 71W (Tc) 300W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Модель сравнения : IRFB3806PBF IRFB3206PBF

+БОМ RFQ