MC33151DR2G vs MC33161DR2G Сравнение

Это подробное сравнение MC33151DR2G и MC33161DR2G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
MC33151DR2G

+БОМ

6915 ПКС | Онсеми
MC33161DR2G

+БОМ

3753 ПКС | Онсеми
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC IC SUPERVISOR 2 CHANNEL 8SOIC
Part Status Active Active
Type - Multi-Voltage Supervisor
Number of Voltages Monitored - 2
Voltage - Threshold - Adjustable/Selectable
Output - Open Drain or Open Collector
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 105°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Driven Configuration Low-Side -
Channel Type Independent -
Number of Drivers 2 -
Gate Type N-Channel MOSFET -
Voltage - Supply 6.5V ~ 18V -
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.6V -
Current - Peak Output(Source Sink) 1.5A, 1.5A -
Input Type Inverting -
Rise / Fall Time(Typ) 31ns, 32ns -
Модель сравнения : MC33151DR2G MC33161DR2G

+БОМ RFQ