MC33151DR2G vs MC33174DG Сравнение

Это подробное сравнение MC33151DR2G и MC33174DG предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
MC33151DR2G

+БОМ

6915 ПКС | Онсеми
MC33174DG

+БОМ

6773 ПКС | Онсеми
Пакет SOIC-8 SOIC-14
Описание IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14SOIC
Supplier - onsemi
Part Status Active Obsolete
Amplifier Type - General Purpose
Number of Circuits - 4
Slew Rate - 2.1V/µs
Gain Bandwidth Product - 1.8 MHz
Current - Input Bias - 20 nA
Voltage - Input Offset - 2 mV
Supply Current - 180µA (x4 Channels)
Current - Output / Channel - 27 mA
Voltage - Supply Span(Min) - 3 V
Voltage - Supply Span(Max) - 44 V
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 85°C
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Driven Configuration Low-Side -
Channel Type Independent -
Number of Drivers 2 -
Gate Type N-Channel MOSFET -
Voltage - Supply 6.5V ~ 18V -
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.6V -
Current - Peak Output(Source Sink) 1.5A, 1.5A -
Input Type Inverting -
Rise / Fall Time(Typ) 31ns, 32ns -
Модель сравнения : MC33151DR2G MC33174DG

+БОМ RFQ