MC33151DR2G vs MC33178D Сравнение

Это подробное сравнение MC33151DR2G и MC33178D предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
MC33151DR2G

+БОМ

6915 ПКС | Онсеми
MC33178D

+БОМ

5917 ПКС | Онсеми
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC IC OPAMP DUAL LOW PWR/NS 8-SOIC
Supplier - Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Obsolete
Amplifier Type - General Purpose
Number of Circuits - 2
Slew Rate - 2V/µs
Gain Bandwidth Product - 5 MHz
Current - Input Bias - 100 nA
Voltage - Input Offset - 150 µV
Supply Current - 1.7mA (x2 Channels)
Current - Output / Channel - 100 mA
Voltage - Supply Span(Min) - 4 V
Voltage - Supply Span(Max) - 36 V
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Driven Configuration Low-Side -
Channel Type Independent -
Number of Drivers 2 -
Gate Type N-Channel MOSFET -
Voltage - Supply 6.5V ~ 18V -
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.6V -
Current - Peak Output(Source Sink) 1.5A, 1.5A -
Input Type Inverting -
Rise / Fall Time(Typ) 31ns, 32ns -
Модель сравнения : MC33151DR2G MC33178D

+БОМ RFQ