NCP51530BDR2G vs NCP5181DR2G Сравнение

Это подробное сравнение NCP51530BDR2G и NCP5181DR2G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
NCP51530BDR2G

+БОМ

4017 ПКС | Онсеми
NCP5181DR2G

+БОМ

4243 ПКС | Онсеми
Пакет SOIC-8
Описание IC HALF BRIDGE DRIVER 3.5A 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Part Status Active Last Time Buy
Driven Configuration - Half-Bridge
Channel Type - Independent
Number of Drivers - 2
Gate Type - N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 17V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH - 0.8V, 2.3V
Current - Peak Output(Source Sink) - 1.4A, 2.2A
Input Type - Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) - 600 V
Rise / Fall Time(Typ) - 40ns, 20ns
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number NCP51530 -
Output Configuration Half Bridge (2) -
Applications General Purpose -
Interface Logic, PWM -
Load Type Inductive, Capacitive -
Technology Power MOSFET -
Current - Output / Channel 3.5A -
Current - Peak Output 3A -
Voltage - Load 700V -
Features Bootstrap Circuit -
Fault Protection UVLO -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
Модель сравнения : NCP51530BDR2G NCP5181DR2G

+БОМ RFQ