NCP5181DR2G vs NCP5109BDR2G Сравнение
Это подробное сравнение NCP5181DR2G и NCP5109BDR2G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Пакет
SOIC-8
SOIC-8
Описание
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Part Status
Last Time Buy
Active
Driven Configuration
Half-Bridge
Half-Bridge
Channel Type
Independent
Independent
Number of Drivers
2
2
Gate Type
N-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply
10V ~ 20V
10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH
0.8V, 2.3V
0.8V, 2.3V
Current - Peak Output(Source Sink)
1.4A, 2.2A
250mA, 500mA
Input Type
Non-Inverting
Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap)
600 V
200 V
Rise / Fall Time(Typ)
40ns, 20ns
85ns, 35ns
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
-40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
