NCP5181DR2G vs NCP51145PDR2G

Это подробное сравнение NCP5181DR2G и NCP51145PDR2G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

NCP5181DR2G

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 4243 ПКС
Package: SOIC-8
Series: PMIC - Драйверы ворот

+БОМ RFQ

Part B

NCP51145PDR2G

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 2518 ПКС
Package: SOIC-8
Series: PMIC - Регуляторы напряжения - Специальное назначение

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	NCP5181DR2G	NCP51145PDR2G
Part Status	Last Time Buy	Obsolete
Applications	-	LDO (Linear), DDR
Voltage - Input	-	1V ~ 5.5V
Number of Outputs	-	1
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)	-40°C ~ 85°C
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Driven Configuration	Half-Bridge	-
Channel Type	Independent	-
Number of Drivers	2	-
Gate Type	N-Channel MOSFET	-
Voltage - Supply	10V ~ 20V	-
Logic Voltage - VILVIH	0.8V, 2.3V	-
Current - Peak Output(Source Sink)	1.4A, 2.2A	-
Input Type	Non-Inverting	-
High Side Voltage - Max(Bootstrap)	600 V	-
Rise / Fall Time(Typ)	40ns, 20ns	-

Compare RFQ