IXTF1N250

Изображения являются только для ссылки

IXTF1N250

+БОМ

MOSFET N-CH 2500V 1A ISOPLUS I4

  • ПроизводительИКСИС

  • Мфр. Часть #IXTF1N250

  • В наличии12

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 2500 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 1A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 40Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1660 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 110W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package ISOPLUS i4-PAC™

Продукты, связанные с IXTF1N250