STD11N65M2

Изображения являются только для ссылки

STD11N65M2

+БОМ

MOSFET N-CH 650V 7A DPAK

  • ПроизводительSTМикроэлектроника

  • Мфр. Часть #STD11N65M2

  • В наличии118

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier STMicroelectronics
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series MDmesh™ II Plus
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 650 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 7A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 670mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 12.5 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±25V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 410 pF @ 100 V
PowerDissipation(Max) 85W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage DPAK

Продукты, связанные с STD11N65M2